厦门联芯28纳米HKMG试产良率创历史新高

2018-03-31 09:13

东南网讯(海峡导报记者 骆余民 通讯员雷飏)导报记者昨日获悉,位于厦门火炬高新区的联芯集成电路制造(厦门)有限公司,已于今年2月成功试产采用28纳米HKMG(高介电常数金属闸极)工艺制程的客户产品,试产良率高达98%,创历史新高。这也是中国大陆目前集成电路最先进技术最高良率。

据介绍,联芯28纳米High-K/Metal Gate 工艺制程采用了目前全球最先进的Gate Last制程技术,能大幅减少栅极的漏电量,提升晶体管性能,可应用于更多样化的各类电子产品,包括高性能应用处理器和移动基带功能。

联芯集成电路制造项目总投资62亿美元,于2016年11月正式营运投产,是海峡两岸合资建设的第一座12英寸晶圆厂,也是福建省目前投资金额最大的单体项目。

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